技术参数
品牌: | onsemi(安森美) |
型号: | FDB33N25TM |
封装: | D-PAK |
批次: | 20+ |
数量: | 5000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 250 V |
Id-连续漏极电流: | 33 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 94 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 235 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 4.83 mm |
长度: | 10.67 mm |
系列: | FDB33N25 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 9.65 mm |
下降时间: | 120 ns |
上升时间: | 230 ns |
典型关闭延迟时间: | 75 ns |
典型接通延迟时间: | 35 ns |
单位重量: | 1.312 g |
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