产品简介
技术参数品牌:IR型号:IRF8707TRPBF批次:21+数量:5000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:11ARdsOn-漏源导通电阻:17
详情介绍
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRF8707TRPBF |
批次: | 21+ |
数量: | 5000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 11 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 17.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
Qg-栅极电荷: | 6.2 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1.75 mm |
长度: | 4.9 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 3.9 mm |
单位重量: | 540 mg |
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