技术参数
品牌: | IXYS(艾赛斯) |
型号: | IXFH60N65X2 |
批次: | TO-247 |
数量: | 3 |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 52 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.7 V |
Qg-栅极电荷: | 107 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 780 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | 650V Ultra Junction X2 |
正向跨导 - 最小值: | 29 S |
下降时间: | 12 ns |
上升时间: | 40 ns |
典型关闭延迟时间: | 50 ns |
典型接通延迟时间: | 37 ns |
单位重量: | 1.600 g |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。