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锗半导体器件用作二极管、晶体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电、霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线检测器等,广泛用于彩电、电脑、电话及高频设备中,锗管特别适用于高频大功率器件中,且在强辐射与-40℃下运转正常;Ge-Si与Ge-Te作温差发电用于宇航、卫星与空间站的启动电源等。
锗在半导体器件上的应用已大部分被硅取代,仅在高频大功率器件上有一定用量,其他以光电雪崩二极管用量较大。
用锗作为衬底制作的GaAs/Ge太阳能电池,其性能与GaAs/GaAs电池接近,机械强度要更高,单片电池面积更大。在空间应用环境下,抗辐射阈值比硅电池高,性能衰退小,其应用成本接近于同样功率的硅电池板。
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