技术参数
品牌: | Infineon/英飞凌 |
型号: | IRFB7534PBF |
封装: | TO-220 |
批次: | 21+ |
数量: | 63000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 195 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.7 V |
Qg-栅极电荷: | 186 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 294 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 15.65 mm |
长度: | 10 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.4 mm |
正向跨导 - 最小值: | 498 S |
下降时间: | 93 ns |
上升时间: | 134 ns |
典型关闭延迟时间: | 118 ns |
典型接通延迟时间: | 20 ns |
单位重量: | 2 g |
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