产品简介
技术参数品牌:EVERLIGHT/亿光型号:EL814(A)封装:DIP4批次:21+数量:25000制造商:Everlight产品种类:晶体管输出光电耦合器RoHS:是封装/箱体:PDIP-4输出类型:NPNPhototransistor通道数量:1ChannelIf-正向电流:60mA集电极/发射极电压:80V绝缘电压:5000Vrms集电极/发射极饱和电压:0
详情介绍
技术参数
品牌: | EVERLIGHT/亿光 |
型号: | EL814(A) |
封装: | DIP4 |
批次: | 21+ |
数量: | 25000 |
制造商: | Everlight |
产品种类: | 晶体管输出光电耦合器 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | PDIP-4 |
输出类型: | NPN Phototransistor |
通道数量: | 1 Channel |
If - 正向电流: | 60 mA |
集电极/发射极电压: | 80 V |
绝缘电压: | 5000 Vrms |
集电极/发射极饱和电压: | 0.2 V |
Vf - 正向电压: | 1.4 V |
Pd-功率耗散: | 200 mW |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 110 C |
配置: | 1 Channel |
长度: | 4.58 mm |
宽度: | 6.5 mm |
电流传递比: | 300 % |
下降时间: | 18 us |
上升时间: | 18 us |
- 上一篇: MX25L25645GMI-10G.T 电子元器件 MXIC/
- 下一篇: IPA60R190P6 场效应管 Infineon/英飞凌
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。