产品简介
技术参数品牌:Infineon/英飞凌型号:IPD90N04S4-03封装:PG-TO252-3批次:21+数量:2500制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:90ARdsOn-漏源导通电阻:2
详情介绍
技术参数
品牌: | Infineon/英飞凌 |
型号: | IPD90N04S4-03 |
封装: | PG-TO252-3 |
批次: | 21+ |
数量: | 2500 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 66 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 94 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | OptiMOS-T2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
下降时间: | 15 ns |
上升时间: | 11 ns |
典型关闭延迟时间: | 14 ns |
典型接通延迟时间: | 14 ns |
零件号别名: | IPD90N04S403ATMA1 SP000671630 IPD9N4S43XT IPD90N04S403ATMA1 |
单位重量: | 4 g |
- 上一篇: AMC1100DUBR 运算放大器及比较器 TI/德
- 下一篇: TL072G-D08-T 电子元器件 UTC/友顺 封
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。