技术参数
品牌: | 安森美 |
型号: | FDMS86200 |
数量: | 3000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DualCool-56-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
Id-连续漏极电流: | 52 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 15 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 33 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 104 W |
配置: | Single |
高度: | 1.1 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | FDMS86200 |
晶体管类型: | N-Channel |
宽度: | 5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 33 S |
下降时间: | 5.8 ns |
上升时间: | 7.9 ns |
典型关闭延迟时间: | 27 ns |
典型接通延迟时间: | 13 ns |
单位重量: | 68.100 mg |
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