N沟道 Si MOSFET IRF520NPBF, 9.7 A, Vds=100 V, 3针 TO-220AB封装
N 通道功率 MOSFET 100V
系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供 佳系统效率。
MOSFET 晶体管
提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类 佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 9.7 A |
大漏源电压 | 100 V |
大漏源电阻值 | 200 mΩ |
大栅阈值电压 | 4V |
小栅阈值电压 | 2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 48 W |
典型接通延迟时间 | 4.5 ns |
晶体管材料 | Si |
宽度 | 4.69mm |
尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
长度 | 10.54mm |
高工作温度 | +175 °C |
高度 | 8.77mm |
Board Level Components | Y |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型关断延迟时间 | 32 ns |
典型输入电容值@Vds | 330 pF@ 25 V |
典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V |
低工作温度 | -55 °C |
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