N沟道 Si MOSFET FQPF10N20C, 9.5 A, Vds=200 V, 3针 TO-220F封装
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用*的技术为广泛的应用提供 佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用*的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 *的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 9.5 A |
| 大漏源电压 | 200 V |
| 大漏源电阻值 | 360 mΩ |
| 小栅阈值电压 | 2V |
| 大栅源电压 | ±30 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 38 W |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 395 pF@ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 70 ns |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 9.19mm |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.16mm |
| 尺寸 | 10.16 x 4.7 x 9.19mm |
| 宽度 | 4.7mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns |
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