N沟道 MOSFET SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 20 A |
大漏源电压 | 600 V |
大漏源电阻值 | 190 mΩ |
大栅阈值电压 | 5.5V |
小栅阈值电压 | 3.5V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 208 W |
Board Level Components | Y |
典型栅极电荷@Vgs | 79 nC @ 10 V |
高度 | 4.4mm |
系列 | CoolMOS S5 |
典型输入电容值@Vds | 3000 pF@ 25 V |
高工作温度 | +150 °C |
典型关断延迟时间 | 140 ns |
典型接通延迟时间 | 120 ns |
宽度 | 10.26mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
低工作温度 | -55 °C |
长度 | 8.64mm |
尺寸 | 8.64 x 10.26 x 4.4mm |
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