赛热达1600℃三温区管式高温炉三个数字温度控制器可独立控制温度，并可设置30段升降温程序，温区1（加热区中心）采用硅钼棒加热，另外两个温区用硅碳棒进行加热，此款管式炉可以形成一个温度梯度，调整三个温区的温度，在热梯度下制备功能材料，同时也适用于CVD法制作薄膜外延生长。炉体采用双层壳体结构，并带有风冷系统，使得壳体的表面温度小于60度，炉膛的保温材料采用高纯氧化铝，环保节能，可以减少热量的损失，内炉膛表面涂有高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命。
赛热达1600℃三温区管式高温炉三温区真空气氛管式炉主要应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）工艺等。
| 工作温度 | 1600℃ |
| 最高温度 | 1700℃（可选择） |
| 加热区 | 总温区长度630 mm 温区1：190 mm由硅碳棒加热，工作温度800 - 1400°C 温区 2：250 mm 由硅钼棒MoSi2 进行加热，工作温度 800 - 1600°C 温区3：190 mm 由硅碳棒SiC进行加热，工作温度800 - 1400°C |
| 真空密封系统 | 仪器标配中有一套不锈钢真空密封法兰，出气和进气端都安装有不锈钢截止阀，真空度：10-2 torr （用机械泵 ）；10-5 torr（用分子泵 ） |
| 炉管尺寸 | Φ60*1200mm（更多规格可根据用户需求定制） |
| 温控方式 | 30段PID微电脑可编程自动控制 |
| 控温精度 | ± 1℃ |
| 温控保护 | 具有超温及断偶报警功能 |
| 加热速率 | 0~20 ℃ / 分 |
| 加热元件 | 硅钼棒，硅碳棒 |
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